|
|
Relativistic spintronic effects in semiconductor structures
Nádvorník, Lukáš ; Jungwirth, Tomáš (vedoucí práce) ; Ramsay, Andrew (oponent) ; Veis, Martin (oponent)
V této práci je studován spinový transport a dynamika opticky injektovaných spinově polarizovaných nosičů v několika transportních režimech v polovodi- čových heterostrukturách na bázi GaAs pomocí vysoce prostorově a časově rozlišených technik. V dlouho žijícím elektronovém podsystému, opticky generovaného v nedopovaném heteropřechodu GaAs/AlGaAs, je pozorová- na spinová difuze s neočekávaně dlouhým prostorovým dosahem a vyso- kou transportní rychlostí. Dále je studován difuzí a driftem dominovaný spinový transport za pokojové a nízké teploty v systémech na bázi GaAs použitím elektrické spinové detekce založené na inverzním spinovém Hallovu jevu. Je ukázáno, že signál generovaný inverzním spinovým Hallovým jevem a parametry spinového transport mohou být kontrolovány přímým přiklá- dáním elektrického pole nebo expanzí vyprázdněné oblasti laterálního pn- přechodu.
|
|
|
Studium terahertzového záření emitovaného pomocí spintronických jevů
Jechumtál, Jiří ; Nádvorník, Lukáš (vedoucí práce) ; Kašpar, Zdeněk (oponent)
Efektivní emise pikosekundových terahertzových (THz) pulzů využitím optických fem- tosekundových pulzů je základem THz spektroskopie v časové doméně. Nedávné studie ukázaly, že ultrarychlá optická excitace tenkých kovových magnetických multivrstev vede k efektivní emisi THz pulzů pomocí konverze spinového proudu na elektrický proud. Tato práce se zaměřuje na určení absolutní emise a efektivity konverze spintronických emitorů od několika producentů. Ze srovnání plyne, že lze dosáhnout efektivity srovnatelné s vysoce optimalizovanými spintronickými emitory využitím růstových možností v rámci Matematicko-fyzikální fakulty UK. Práce zároveň demonstruje výrazný vliv kvality roz- hraní na propustnost ultrarychlých spinových proudů. Na závislosti emise na fluenci op- tické excitace je pozorován saturační efekt, který definuje vhodné podmínky excitace pro škálování THz emise do vyšších elektrických polí. Pozorovaná spektrální závislost emise na fluenci doplňuje diskuzi o podstatě vzniku ultrarychlých spinových proudů. 1
|
|
|
Relativistic spintronic effects in semiconductor structures
Nádvorník, Lukáš ; Jungwirth, Tomáš (vedoucí práce) ; Ramsay, Andrew (oponent) ; Veis, Martin (oponent)
V této práci je studován spinový transport a dynamika opticky injektovaných spinově polarizovaných nosičů v několika transportních režimech v polovodi- čových heterostrukturách na bázi GaAs pomocí vysoce prostorově a časově rozlišených technik. V dlouho žijícím elektronovém podsystému, opticky generovaného v nedopovaném heteropřechodu GaAs/AlGaAs, je pozorová- na spinová difuze s neočekávaně dlouhým prostorovým dosahem a vyso- kou transportní rychlostí. Dále je studován difuzí a driftem dominovaný spinový transport za pokojové a nízké teploty v systémech na bázi GaAs použitím elektrické spinové detekce založené na inverzním spinovém Hallovu jevu. Je ukázáno, že signál generovaný inverzním spinovým Hallovým jevem a parametry spinového transport mohou být kontrolovány přímým přiklá- dáním elektrického pole nebo expanzí vyprázdněné oblasti laterálního pn- přechodu.
|
host ::
RSS.